TMCS1123
- 高持续电流能力：80ARMS
- 可靠的增强型隔离
- 可承受的隔离电压：5kVRMS
- 增强型工作电压：1.3kVDC
- 高精度
- 灵敏度误差：±0.1%
- 灵敏度热漂移：±20ppm/°C
- 灵敏度寿命漂移：±0.2%
- 失调电压误差：±0.2mV
- 偏移热漂移：±2µV/°C
- 偏移寿命漂移：±0.2mV
- 非线性：±0.1%
- 对外部磁场具有高抗扰度
- 精密零电流基准输出
- 快速响应
- 信号带宽：250kHz
- 传播延迟：110ns
- 响应时间：1µs
- 过流检测响应：100ns
- 工作电源电压范围：3V 至 5.5V
- 双向和单向电流感应
- 多个灵敏度选项：
- 范围为 25mV/A 至 150mV/A
- 安全相关认证（计划）
- UL 1577 组件认证计划
- IEC/CB 62368-1
TMCS1123 是一款电隔离霍尔效应电流传感器，具有业界出色的隔离功能和精度。该器件还提供与输入电流成正比的输出电压，且在所有灵敏度选项下均具有出色的线性度和低漂移。具有内置漂移补偿功能的精密信号调节电路能够在没有系统级校准的情况下，在温度和寿命范围内的最大灵敏度误差小于 1.4%，或在一次性室温校准（包括寿命和温度漂移）的情况下的最大灵敏度误差小于 1%。
交流或直流输入电流流经内部导体，所产生的磁场可由集成式片上霍尔效应传感器进行测量。无磁芯结构消除了对磁集中器的需求。差分霍尔传感器可抑制外部杂散磁场产生的干扰。低导体电阻将可测量电流范围提高至 ±96A，同时更大程度地降低功率损耗并降低散热要求。绝缘能够承受 5kVRMS，加上最小 8.1mm 的爬电距离和间隙，可提供高达 1.3kVDC 的可靠寿命增强型工作电压。集成式屏蔽可提供出色的共模抑制和瞬态抗扰度。
固定的灵敏度允许器件使用单个 3V 至 5.5V 的电源运行，因此消除了比例式误差并提高了电源噪声抑制能力。
技术文档
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| * | 数据表 | TMCS1123 具有 ±1.3kV 增强型 隔离 工作电压 、过流检测 和环境磁场抑制功能的 精密 250kHz 霍尔效应电流传感器 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2024年 1月 17日 |
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| 证书 | TMCS1123BEVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2023年 6月 14日 | ||||
| 证书 | TMCS1123CEVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2023年 6月 14日 | ||||
| 证书 | TMCS1123AEVM EU Declaration of Conformity (DoC) (Rev. A) | 2023年 6月 13日 |
设计和开发
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评估板
TMCS1123EVM — TMCS1123 隔离式霍尔效应电流检测评估模块
TMCS1123EVM 评估模块 (EVM) 旨在促进 TMCS1123 的快速便捷使用，TMCS1123 是一款采用内部比例基准的隔离式霍尔效应精密电流检测监测器。此 EVM 支持用户在霍尔输入侧提供最大工作电流，同时通过增强型隔离栅测量隔离式输出。此固定装置布局并非作为目标电路的模型使用，也不针对电磁 (EMI) 测试进行布局。TMCS1123EVM 由单个印刷电路板 (PCB) 构成，可拆分为五个单独部分，支持用户测试单个静态点的所有灵敏度变化（A = 0.5Vs，B = 0.33Vs 或 C = 0.1Vs）。
参考设计
TIDA-010937 — 具有数字接口的隔离式低延迟高 PWM 抑制霍尔电流检测参考设计
此参考设计展示了一种精确的低延迟增强型隔离式双向电流检测系统，它使用 TMCS1123 精密霍尔效应电流传感器，通过高达 ±62A 的三相逆变器实现可靠的相电流和直流链路电流检测，过流检测时间小于 100ns。过流阈值可配置为满量程输入电流范围的 2.5 倍。具有高速 SPI 的小型 12 位模数转换器或具有高达 21MHz 时钟的 Δ-Σ 调制器可提供高抗噪性 3.3V I/O 数字接口。该接口连接到 C2000 或 Sitara MCU 等主机处理器，方便使用不同的模数转换技术对封装内霍尔传感器进行性能评估。
设计指南: PDF
参考设计
TIDA-010938 — 7.2-kW, GaN-based single-phase string inverter with battery energy storage system reference design
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