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LMG2100R044

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具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET

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VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 4.4 ID (max) (A) 35 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 4.4 ID (max) (A) 35 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
WQFN-FCRLF (RAR) 16 See data sheet
  • 集成 4.4mΩ GaN FET 和驱动器
  • 80V 连续 100V 脉冲式电压额定值
  • 封装经过优化，便于 PCB 布局
  • 5V 外部辅助电源
  • 支持 3.3V、5V 和 12V 输入逻辑电平
  • 高压摆率开关，低振铃
  • 栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率
  • 内部自举电源电压钳位，可防止 GaN FET 过驱动
  • 电源轨欠压锁定保护
  • 出色的传播延迟（典型值 29.5ns）和匹配（典型值 2ns）
  • 低功耗
  • 外露式顶部 QFN 封装实现顶面散热
  • 大型 GND 焊盘实现底面散热
  • 集成 4.4mΩ GaN FET 和驱动器
  • 80V 连续 100V 脉冲式电压额定值
  • 封装经过优化，便于 PCB 布局
  • 5V 外部辅助电源
  • 支持 3.3V、5V 和 12V 输入逻辑电平
  • 高压摆率开关，低振铃
  • 栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率
  • 内部自举电源电压钳位，可防止 GaN FET 过驱动
  • 电源轨欠压锁定保护
  • 出色的传播延迟（典型值 29.5ns）和匹配（典型值 2ns）
  • 低功耗
  • 外露式顶部 QFN 封装实现顶面散热
  • 大型 GND 焊盘实现底面散热

LMG2100R044 器件是一款 80V 连续 100V 脉冲式 35A 半桥功率级，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件包含两个 100V GaN FET，这两者由采用半桥配置的同一高频 80V GaN FET 驱动器进行驱动。

GaN FET 在功率转换方面优势极为显著，因为它们的反向恢复接近零，而且输入电容 C ISS 和输出电容 C OSS 都极小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG2100R044 器件采用 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。

该器件的输入与 TTL 逻辑兼容，无论 VCC 电压如何，都能够承受高达 12V 的输入电压。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。

该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。

LMG2100R044 器件是一款 80V 连续 100V 脉冲式 35A 半桥功率级，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件包含两个 100V GaN FET，这两者由采用半桥配置的同一高频 80V GaN FET 驱动器进行驱动。

GaN FET 在功率转换方面优势极为显著，因为它们的反向恢复接近零，而且输入电容 C ISS 和输出电容 C OSS 都极小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG2100R044 器件采用 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。

该器件的输入与 TTL 逻辑兼容，无论 VCC 电压如何，都能够承受高达 12V 的输入电压。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。

该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。
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* 数据表 LMG2100R044 100V、35A GaN 半桥功率级 数据表 PDF | HTML 最新英语版本 (Rev.B) PDF | HTML 2023年 7月 11日
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设计和开发

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评估板

LMG2100EVM-078 — LMG2100 评估模块

LMG2100 评估模块 (EVM) 是一款紧凑、易用的功率级，可配置为使用半桥设计的降压转换器、升压转换器或其他转换器拓扑。此 EVM 具有一个 LMG2100 半桥电源模块和两个 100V 4.4mΩ GaN FET。
用户指南: PDF | HTML
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计算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
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氮化镓 (GaN) IC
LMG2100R044 — 100-V 4.4-mΩ half-bridge GaN FET with integrated driver and protection LMG2610 — 具有集成驱动器、保护和电流检测功能且适用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半桥 LMG3410R050 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3411R150 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3422R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET LMG3422R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET LMG3425R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 30mΩ GaN FET LMG3425R050 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R030 — 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET LMG5200 — 80V GaN 半桥功率级
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模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源体育竞猜平台(中国)管理有限公司系列以及精选的模拟行为模型。

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参考设计

TIDA-010936 — 适用于集成电机驱动器的 48V/16A 小型三相 GaN 逆变器参考设计

此参考设计展示了采用三个具有集成式 GaN FET、驱动器和自举二极管的 100V、35A GaN 半桥 LMG2100R044 的高功率密度 12V 至 60V 三相功率级，专门用于电机集成式伺服驱动器和机器人应用。  
通过使用 IN241A 电流检测放大器，实现了精确的相电流检测；同时测量了直流链路电压和相电压，从而能够验证诸如 InstaSPIN-FOC™ 等先进的无传感器设计。该设计提供与 TI BoosterPack 兼容的 3.3V I/O 接口，用于连接 C2000™ MCU LaunchPad™ 开发套件或 Sitara™ 微控制器，以便快速轻松地评估我们的 GaN 技术。
设计指南: PDF
参考设计

PMP23340UCD — 采用数字电源隔离式控制器且支持 GaN 的 48V 至 12V 1.1kW 1/8 砖型参考设计

此参考设计展示了高性能 GaN 如何通过使用 UCD3138ARJAT 数字电源隔离式控制器，为中间总线转换器实现高效率和小外形尺寸。
测试报告: PDF
参考设计

PMP23340C2K — 采用 C2000™ MCU 且支持 GaN 的 48V 至 12V 1.1kW 1/8 砖型电源模块参考设计

此参考设计展示了高性能 GaN 如何为中间总线转换器实现高效率和小外形尺寸。
测试报告: PDF
参考设计

TIDA-010933 — 基于 GaN 的 1.6kW 双向微型逆变器参考设计

此参考设计展示了一款具有储能功能的基于 GaN 的四输入双向 1.6kW 微型逆变器。
设计指南: PDF
参考设计

TIDA-010042 — 基于 GaN 的 400W MPPT 充电控制器和电源优化器参考设计

该参考设计是一款适用于 12V 和 24V 电池的最大功率点跟踪 (MPPT) 太阳能充电控制器，未来可用作电源优化器。该参考设计布局紧凑，适用于中小型太阳能充电器设计，可使用 15V 至 60V 太阳能电池板模块、12V 或 24V 电池供电运行，提供高达 16A 的输出电流。该设计利用降压转换器将太阳能电池板电压降低至电池电压。具有内部集成驱动器的半桥功率级由微控制器单元 (MCU) 控制，该微控制器单元使用扰动观测法计算最大功率点。该太阳能 MPPT 充电控制器在设计时便将各种实际设计注意事项考虑在内，其中包括电池反向保护、软件可编程警报和指示以及浪涌和 ESD 保护等。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP41068 — 采用 GaN 的 100W D 类音频放大器参考设计

此参考设计演示了采用 GaN HEMT 的单端 D 类功率级。本设计采用 LMG2100R044 作为电源开关，工作频率为 1MHz。
测试报告: PDF
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包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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